Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, presentó hoy una amplia gama de soluciones

de memoria automotriz de vanguardia diseñadas para vehículos eléctricos autónomos de próxima generación. La nueva línea incluye un SSD de ball grid array (BGA) NVMe de tercera generación PCIe de 256 gigabytes (GB), DRAM GDDR6 de 2GB y DRAM DDR4 de 2GB para sistemas de información y entretenimiento de alto rendimiento, así como DRAM GDDR6 de 2GB y Almacenamiento Flash Universal (UFS) de 128GB para sistemas autónomos de conducción.

"Con la reciente proliferación de vehículos eléctricos y el rápido avance de los sistemas de información y entretenimiento y conducción autónoma, la plataforma automotriz de semiconductores se enfrenta a un cambio de paradigma. Lo que solía ser un ciclo de reemplazo de siete a ocho años ahora está comprimiéndose en un ciclo de tres a cuatro años y, al mismo tiempo, los requisitos de rendimiento y capacidad están avanzando a niveles que se encuentran comúnmente en los servidores", dijo Jinman Han, Vicepresidente Ejecutivo y Líder de Ventas & Marketing Globales de Memoria en Samsung Electronics. “La línea reforzada de soluciones de memoria de Samsung actuará como un catalizador importante para acelerar aún más el cambio hacia la era del 'Servidor Sobre Ruedas'”.

Las funciones avanzadas en los sistemas de información y entretenimiento, como mapas de alta definición, streaming de video y juegos en 3D, junto con el uso creciente de sistemas de conducción autónoma, han impulsado la demanda de SSDs de alta capacidad y alto rendimiento y DRAM de gráficos en toda la industria automotriz.

En 2017, Samsung fue la primera en la industria en introducir soluciones UFS para aplicaciones automotrices, y hoy, la compañía está bien posicionada para proporcionar una solución de memoria total con el nuevo SSD automotriz y DRAM GDDR6.

El controlador y el firmware SSD BGA de 256GB de Samsung se desarrollaron internamente para un rendimiento optimizado, ofreciendo una velocidad de lectura secuencial de 2100 megabytes por segundo (MB/s) y una velocidad de escritura secuencial de 300MB/s, que son siete y dos veces más rápidas que el eMMC actual, respectivamente. Además, la DRAM GDDR6 de 2GB presenta una velocidad de datos por pin de hasta 14 gigabit por segundo (Gbps). Estas velocidades y ancho de banda excepcionales admitirán el procesamiento complejo de diversas aplicaciones multimedios, así como grandes cantidades de datos de conducción autónoma, contribuyendo a una experiencia de conducción más segura, dinámica y cómoda.

Además, las nuevas soluciones automotrices de Samsung cumplen con la calificación AEC-Q100, el estándar mundial de confiabilidad automotriz, lo que les permite operar de manera estable en temperaturas extremas que van desde -40°C a +105°C – un requisito especialmente crucial para los semiconductores automotrices.

Recientemente, aumentó el despliegue de sensores en vehículos autónomos para monitorear continuamente el entorno inmediato, y el procesamiento de alta velocidad para interpretar y predecir estos datos para una conducción más segura está volviéndose de vital importancia. Al introducir soluciones de memoria automotriz previamente defendidas en servidores y aceleradores de IA, Samsung está ayudando a allanar el camino para una conducción autónoma más segura.

Habiendo completado las evaluaciones de los clientes, los nuevos productos de memoria para automóviles se encuentran actualmente en producción en masa.