IBM desarrolló con éxito un prototipo del dispositivo de memoria dinámica sobre chip más pequeño, denso y veloz de la industria de los semiconductores en tecnología de silicio sobre aislante (SOI, por su nombre en inglés) de 32 nanómetros de próxima generación, capaz de ofrecer mejor velocidad, ahorros de energía y confiabilidad para productos que abarcan de servidores a electrónica de consumo.   

La tecnología SOI de IBM es capaz de proporcionar hasta un 30% de mejora en el rendimiento del chip y 40% de reducción de energía, en comparación con la tecnología estándar de silicio a granel. SOI protege los transistores del chip con un “manto” de aislamiento que reduce la pérdida eléctrica, y así ahorra energía y permite que la corriente fluya por el circuito con mayor eficiencia, lo cual mejora el rendimiento.

IBM fabricó un chip de prueba con una tecnología de memoria de acceso aleatorio dinámica incorporada (eDRAM) que posee la celda de memoria más pequeña de la industria, y ofrece densidad, velocidad y capacidad mejor que la memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) sobre chip convencional anunciada en tecnología de 32nm y 22nm, y comparable con lo que se esperaría de una SRAM producida en tecnología de 15 nanómetros: tres generaciones de tecnología por delante de chips en producción en serie en este momento.

La celda eDRAM de IBM es el doble de densa que cualquier celda SRAM incorporada de 22nm anunciada - incluida la celda de memoria más pequeña del mundo, de 22 nanómetros, anunciada por IBM en agosto de 2008- y hasta cuatro veces más densa que cualquier SRAM incorporada de 32nm comparable de la industria. Una mayor densidad de memoria puede llevar a chips más pequeños, más eficientes y capaces de procesar más datos, para así mejorar el rendimiento de los sistemas.

El prototipo de IBM es la memoria incorporada más veloz anunciada a la fecha, que alcanza tiempos de ciclo y de latencia de menos de 2 nanosegundos. Además, la IBM eDRAM utiliza cuatro veces menos energía auxiliar (energía empleada por el chip cuando no está activo) y su índice de errores temporales (errores ocasionados por cargas eléctricas) es de hasta mil veces menor, lo cual ofrece mayores ahorros de energía y confiabilidad, en comparación con una SRAM similar.

La memoria incorporada constituye un elemento clave para el rendimiento de los procesadores de varios cores y otros circuitos integrados, y el nuevo prototipo posee numerosas implicancias para las empresas y demás organizaciones de todo el mundo.  Por ejemplo, el uso de esta tecnología en aplicaciones de alto rendimiento, como ser servidores, impresoras, almacenamiento y redes, puede generar un mejor rendimiento de los sistemas y ahorros de energía.  En aplicaciones móviles, de consumo y juegos, puede generar menor factor de forma de los sistemas, menores costos y ahorros de energía.

IBM tiene intenciones de llevar los beneficios de su tecnología SOI de 32-nanometros a una amplia gama de clientes de circuitos integrados para aplicaciones específicas (ASIC) y de fundición, y utilizará la tecnología en chips para sus servidores.   

IBM ya está trabajando con clientes de fundiciones de acceso temprano en tecnología de 32nm y ARM está desarrollado librerías de diseño para la tecnología. Una librería ARM inicial, de 32nm, se encuentra disponible en este momento e IBM extendió su colaboración para incluir la tecnología de 22nm, lo cual permite a ARM obtener acceso temprano a esta tecnología.  Ello representa una de las alineaciones más tempranas de la industria, en tecnología de procesos, reglas de diseño, librería de diseño y cores para la tecnología de próxima generación.

“Estamos poniendo esta oferta de 32nm a disposición de los clientes que están dispuestos a beneficiarse del rendimiento significativo y las ventajas energéticas de esta séptima generación de tecnología SOI de IBM”, comenta Gary Patton, vicepresidente del Centro de Investigación y Desarrollo de Semiconductores de IBM”. “La memoria incorporada densa, líder de la industria, y nuestro acuerdo de librería de diseño con ARM, ponen de relieve nuestra capacidad de brindar a los clientes una ventaja de mercado y un camino de progreso claro hacia nodos de tecnología de 32nm y 22nm”.

Los ingenieros de IBM prevén describir los atributos de la eDRAM de 32nm y 22nm en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos, en diciembre.

IBM fue la primera empresa en empezar a vender la tecnología SOI, la cual ha sido utilizada en aplicaciones que abarcan desde consolas de juegos hasta servidores. La oferta de tecnología SOI de 32nm representa el compromiso continuo y la experiencia de IBM en materia de investigación, desarrollo y fabricación de tecnología de próxima generación.   

IBM es miembro del SOI Industry Consortium, un grupo internacional cuyo objetivo es acelerar la adopción generalizada de la tecnología SOI en los mercados de semiconductores, y trabaja a través del Consorcio para permitir una cartera robusta de propiedad intelectual para una amplia gama de aplicaciones.

Acerca de IBM: Si desea mayor información acerca de los productos y servicios de semiconductores de IBM, visite www.ibm.com/technology

Acerca de la tecnología SOI: Si desea mayor información acerca de los beneficios de la tecnología de silicio sobre aislante, visite www.soiconsortium.org